范围-5V~-15V，客户根据需求选择合适值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 优先稳定正电压，保证开通稳定。
2023-02-27 16:03
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V
2019-01-11 13:42
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化
2025-01-04 12:37
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44
）和发射极可关断晶闸管（ETO）等。1、SiC 肖特基二极管肖特基二极管最显著的特点是反向恢复时间短，但是就传统的肖特基二极管它的耐压一般不超过200V，但是碳化硅肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践
2023-02-20 15:15
和 500A，带或不带碳化硅肖特基续流 1200V 二极管。 另一个例子是MiniSKiiP，这是一种无底板电源模块，使用赛米控的SPRiNG系统将电源和辅助端子连接到PCB。弹簧位置由外壳设计固定
2023-02-20 16:29
电路设计，利用传统Ｈ桥电路设计高输入电压（大于600V）隔离变换电路，而不需要三电平等复杂电路，简化电路和驱动设计。同时每个开关状态导通损耗降低；碳化硅体二极管反向恢复时间和电荷远小于650V硅
2016-08-05 14:32
