进一步减少所需的组件。 凭借英飞凌50V LDMOS功率晶体管技术，PTVA127002EV展现出了极高的能效：利用300微秒10%占空比脉冲进行测量，在1200 M
2018-11-29 11:38
低电压模拟电路设计技巧-使用基底输入式晶体管 前言近年来，为求使用便利，对于可携式装置的需求逐渐提高。可携式装置重要考虑之一是低功率，此点可利用降低电子产品的操作
2009-10-05 08:04
晶体管，锗PNP晶体管，硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。》技术根据其结构和制造工艺，
2023-02-03 09:36
100V到700V，应有尽有．几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率
2018-10-25 16:01
混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书
2019-04-09 21:49
。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。 达林顿晶体管也被称为达林顿对，由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19
晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以
2019-04-22 05:39
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“
2018-11-28 14:29
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、
2019-03-06 17:29
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般
2019-05-05 01:31
