近日消息，英特尔计划将“3D晶体管”工艺应用到SoC移动芯片上，以获得产品性能飞跃性提升，但对于“3D晶体管”技术是否适用于SoC
2012-12-11 09:05
近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面
2011-10-23 01:01
英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D
2012-08-15 11:23
，进而大大降低了功耗。这些成对的晶体管已经彼此栉次鳞比在一起好几十年，但是如果电路要继续缩小，它们就必须靠得更近。 英特尔（Intel）在本周的IEEE 国际电子元件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, I
2021-01-08 09:55
制程工艺是非常重要的基础。在今年“架构日”上，英特尔推出了创新的晶体管技术SuperFin。这项技术拥有行业颠覆意义，英特尔在底层晶体管设计上做了优化，降低了电阻，提高
2020-08-27 11:14
12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。英特尔表示将在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个
2023-12-28 13:58
芯东西12月30日消息，英特尔在本周的IEEE国际电子设备会议上展示了一项新的研究，或为续命摩尔定律提供下一步可行方向。 此项研究是英特尔一直热衷的堆叠纳米片晶体管技术，通过将PMOS和NMOS两种
2021-01-02 09:03
一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展，芯片晶体管作为电子设备的核心元件，其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中，深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
2024-07-18 17:23
远的发展。 英特尔通过改进封装技术将芯片封装中的吞吐量提升高达100倍，探索解决采用铜材料的晶体管在开发未来制程节点时可预见的互连微缩限制，并继续为先进的全环绕栅极（GAA）晶
2024-12-25 09:52
众所周知，整个半导体领域正迈进一个同时整合多个‘芯粒’（Chiplets，也被称为‘小芯片’）在同一封装中的多元时代。基于此，英特尔的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等高级封装解决方案被誉为
2024-01-26 09:44
