NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。
2025-05-30 14:23
IR21814类似的驱动芯片直接驱动MOS管，该电路具有驱动简单，成本低，PCB占用面积小等优点，在我司产品中得到广泛的应用。但是，所采用的LLC谐振拓扑来说，驱动频率在195K~360K之间变化
2023-03-28 11:42
之前做过一个项目，有个模块例化了10次，流片回来测试，有9个正常工作，另外一个工作不起来。这时这个模块的负责人就来找我，问到：IR仿真时这10个模块结果是怎样的？测试有问题那个是IR最差的那个
2023-04-03 09:56
在高性能计算与AI芯片领域，基于SRAM的存算一体（Processing-In-Memory, PIM）架构因兼具计算密度、能效和精度优势成为主流方案。随着存算一体芯片性能的持续攀升，供电电压降
2025-07-11 15:11
常用的电机驱动有两种方式：一、采用集成电机驱动芯片;二、采用MOSFET和专用栅极驱动芯片自己搭。集成主要是飞思卡尔自己生产的33886芯片，还有就是L298芯片，其中
2016-08-04 16:37
IR4301，IR4311集成了PWM控制器和数字音频MOSFET，构成了高性能D类音频放大器。
2021-03-18 16:27
在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大;基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频
2020-07-08 10:17
本文介绍了直流电机的IR2110驱动控制设计及DSP实现，采用功率MOSFET芯片IRF530作为开关元件，IR2110作为MOSFET的栅极驱动控制，用DSP产生PWM信号并通过光耦及逻辑控制送至
2017-12-21 13:49
FPGA芯片和普通芯片在多个方面存在显著的区别。
2024-03-14 17:27
