, MAX7313, MAX7314, MAX7315 and MAX7316 I/O expanders (GPIOs). These techniques can be applied to other I/O expanders with open-drain outputs, a
2009-04-23 14:19
集成芯片的数字输出引脚分为开漏（OD, Open Drain）和推挽（Push-Pull）结构。开漏结构可以进行并联实现或逻辑，在后级芯片识别逻辑与本身耐压范围内可以拉到系统的任何电压，使用十分灵活。
2023-09-11 09:17
什么叫开漏输出,Open-drain output 关键字：开漏输出 开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。TTL
2018-09-20 18:27
LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持极高的精度。客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。
2022-06-16 15:42
阻和快速开关速度等特点。它由源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和衬底（Substrate）四个部分组成。栅极通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流流动。 MOS驱动芯片
2024-07-14 10:56
源漏选择性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作为硬掩模遮蔽层，利用刻蚀气体抑制遮蔽层上的外延生长，仅在曝露出硅的源漏极区域实现外延生长。
2022-11-29 16:05
The MAX14595 is a dual-channel, bidirectional logic-level translator designed specifically for low power consumption making it suitable for portable and battery-powered equipment.
2012-01-23 09:18
MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后
2018-01-22 12:15
Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至
2021-02-08 17:38
而且单片集成的FET采用GND为衬底的平面DMOS结构，相比以Drain为衬底的垂直沟道FET，动点面积更小，配以HF900的抖频功能和优化的驱动设计，使得EMI调试更加轻松。
2019-10-12 09:18
