介绍了铜材料的CVD工艺是怎么实现的以及什么情况下会用到铜CVD工艺。
2024-01-07 14:08
薄膜沉积技术主要分为CVD和PVD两个方向。 PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜,分为蒸镀和溅射两大类，目前的主流工艺为溅射。
2023-12-05 10:25
CVD过程中，不仅在晶圆表面出现沉积，工艺室的零件和反应室的墙壁上也都会有沉积。
2022-12-27 15:34
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
2025-06-24 09:15
在薄膜工艺中，基于薄膜电路工艺，通过磁控溅射实现陶瓷表面金属化，通过电镀实现铜层和金成的厚度大于10微米以上。即 DPC( Direct Plate Copper-直接
2019-03-04 11:00
半导体薄膜沉积工艺是现代微电子技术的重要组成部分。这些薄膜可以是金属、绝缘体或半导体材料，它们在芯片的各个层次中发挥着不同的作用，如导电、绝缘、保护等。
2024-10-31 15:57
硅烷（SiH4），是CVD里很常见的一种气体，在CVD中通常用来提供硅的来源，用途很广泛，我们来详细了解一下。
2023-11-24 14:22
。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD 薄膜
2023-05-26 16:36
溅射镀膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
2023-02-24 09:51
在传统的生产工艺中，金属化塑料薄膜电容器通过将成对薄膜卷绕在塑料芯棒上然后在电容器外包上绝缘套制作而成。 额定直流电压 UNDC：设计电容器时所采用的非反复型波形的任一极性的可连续运行的最高运行峰值电压。
2018-01-22 10:24
