CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜
2023-07-18 11:48
CMP是半导体制造中关键的平坦化工艺，它通过机械磨削和化学腐蚀相结合的方式，去除材料以实现平坦化。然而，由于其复杂性，CMP工艺中可能会出现多种缺陷。这些缺陷通常可以分
2025-07-18 15:14
在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时，CMP技术应运而生，是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键
2023-02-03 10:27
的半导体芯片的结构也变得复杂，包括从微粉化一边倒到三维化，半导体制造工艺也变得多样化。其中使用的材料也被迫发生变化，用于制造的半导体器件和材料的技术革新还没有停止。为了解决作为半导体制造工艺之一的
2022-03-21 13:39
晶圆-机械聚晶(CMP)过程中产生的浆体颗粒对硅晶片表面的污染对设备工艺中收率（Yield）的下降有着极大的影响。
2022-03-14 10:50
器件制造具有以下优点[1] (1) 片子平面的总体平面度: CMP 工艺可补偿亚微米光刻中步进机大像场的线焦深不足。 (2) 改善金属台阶覆盖及其相关的可靠性: CMP工艺
2023-09-19 07:23
CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液（又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End Point)检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
2022-11-08 09:48
在半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是实现晶圆表面全局平坦化的关键技术，而CMP固定环（保持环）作为抛光头的核心易耗部件，其性能影响着晶圆加工的良率和生产效率。随着半导体技术向更小制程节点
2025-04-28 08:08
采用化学机械抛光(CMP)工艺，在半导体工业中已被广泛接受氧化物电介质和金属层平面化。使用它以确保多层芯片之间的互连是实现了介质材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP
2022-03-23 14:17
