Bump Mapping通过改变几何体表面各点的法线，使本来是平的东西看起来有凹凸的效果，是一种欺骗眼睛的技术.具体在封装工艺中倒装芯片(Flip-chip IC）封装技术，不但能够满足芯片大量
2021-07-23 06:59
各位专家，我们在TSMC做的MPW芯片，回来后，发现其他家的芯片都被TSMC出厂前用激光打掉了8微米，现在如此高的落差，导致我们的芯片回来后无法进行Bump，所以想了解
2018-09-03 14:05
allegro中怎么生成flip chip裸die的.dra文件，目前有的资料就是芯片的BUMP序号、坐标、直径等信息。
2022-08-15 10:53
上，但是这种光芯片和电芯片只有一边相连，会限制PAD数量。因此最好的方式是两个芯片叠放（3D），光芯片和电芯片PAD恰好
2023-03-29 10:48
`半导体新人求助，在HTS 150℃存储1000H后，shear Cu的shear的周围有一圈黑色物质，想知道这黑色的东西是什么，为什么在bump的周围存在？`
2015-12-25 10:49
我看到在ADXRS450BEYZ陀螺仪上有4个金属凸起（metallization bump）。那么在画封装时，需要在对应的位置上画4个过孔吗？谢谢。
2019-01-24 13:36
采用National的micro-SMD封装技术，采用芯片尺寸的封装（8-Bump micro-SMD）。独特的特性，通信，最好能网查，地区不限，wx同步156@2217@7087
2020-09-17 11:26
[/td][td]如下图， 一直纠结于PC189的充放电过程，当输入的方波为LOW电平时，+5V电压对PC189充电，PC189右端为正左边为负，当左边方波为HIGH时,PC189这时电压的方向又是怎样的？？怎样实现的升压？ 哪位兄弟姐们帮我仔细分析一下，不慎感谢！左边方波对PC189充电时，左+，右-把原来+5V充到PC189的电荷中和掉了吗？？？弱弱地问一句,如果左端没有方波输入的话，+5V还会对PC189充电吗？？？ 下面的电路：原文说LOW MOSFET导通，形成如图（红色）的充电回路，而使Cboot电容充电。那么，如果LOW MOSFET 没有先导通，此时，+15V还可以通过DIODE 对该Cboot电容充电吗？？搞不清什么情况下对电容充电，什么时候不可以对电容充电？？？？？？？？？？？？？？？？？
2011-10-07 21:57
采用National的micro-SMD封装技术，采用芯片尺寸的封装（8-Bump micro-SMD）。独特的特性在线性模式下，输入共模电压范围包括接地和输出电压也可以即使从一个单电源电压。单位增益
2020-09-15 17:07
量产测试的速度和覆盖范围。而且这些方法已经标准化，企业可以在最终产品制造的不同阶段（从晶圆测试到芯片测试再到板级测试）使用通用的测试指标和接口，以提高效率。本文介绍了如何使用Die-to-Die
2020-10-25 15:34
