据悉，下一代EUV光刻机必须要升级下一代的高NA(数值孔径)标准，从现在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味着更分辨率更高，是3nm之后的工艺必备的条件。
2022-11-30 09:52
到小小的芯片上，光刻精度越高，芯片体积可以越小，性能也可以越高。但由于光波的衍射效应，光刻精度终将面临极限。 ▲中科院光电所科研人员展示利用超分辨光刻设备加工的超导
2018-12-01 09:29
本文将详细介绍电源测试中的极限测试，包括模块输出电流极限测试、静态高压输入、温升极限测试、EFT抗扰性测试、温度冲击强化试验、低温步进试验、高温步进试验、绝缘强度极限试
2014-03-04 11:54
大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
2020-03-22 14:28
a17芯片是几纳米 a17芯片是3纳米。据了解，苹果最新的A17芯片将采用台积电的3nm工艺制程，A17
2023-09-26 11:41
英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
从芯片的制造来看，7nm就是硅材料芯片的物理极限,到了7nm节点即使是finfet也不足以在保证性能的同时抑制漏电,所以工业界用砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
2016-10-21 14:46
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围（1～100nm）或由它们作为基本单元构成的材料。正是由于基本组成单位尺度小，纳米材料具有很多其他普通尺度的材料所不具
2018-01-15 10:40
尽管集成电路制造商不能保证芯片在其额定温度范围之外也正常工作，但当超出其温度范围限制时，芯片不会突然停止工作。但是如果工程师需要在其他温度下使用芯片，那么他们必须确定这些芯片
2019-01-18 09:55
纳米电池由正负电极、电解质、聚合物隔离膜组成，纳米电池的负极材料是纳米化的天然石墨，纳米电池的正极是纳米化材料，采用由P
2019-12-03 09:05
