请问图中字样的三极管芯片面积是多大？谢谢
2014-05-08 17:07
芯片面积估计就是通过目标工艺的库信息，设计的spec、以往设计的信息及，部分IP的综合报告来统计这主要部分的总面积的过程。
2018-04-25 15:36
SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据...
2022-01-26 19:45
ADAU1850相比上款产品拥有极小的芯片面积，超强音质ANC codec，以更低的成本提供更精确降噪的可能。ADAU1850详细参数特征：1、28pin，0.4 mm pitch, 3.0 mm
2021-08-23 11:12
高速SerDes的数据和时钟通路上需要很多buffer，传统CML buffer的有限带宽往往限制系统的奈奎斯特频率
2023-10-31 14:28
工艺相比，3GAE可将芯片面积减少高达45％，降低50％的功耗或实现35％的性能提升。基于GAA的过程节点有望用于下一代应用，如移动，网络，汽车，AI和物联网。 3GAE的特点是采用GAA的专利变体
2019-05-17 11:29
Navi 48采用自主研发的设计方案，包含有64个计算单元，采用256位显存位宽，显存带宽达到693 GB/s，总带宽高达2770GB/s，而其GPU芯片面积也达到了240mm²。
2024-04-10 16:22
集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）日前宣布，其0.11微米后段铜制程（Cu-BEoL）超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。
2012-03-12 09:14
三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂，并听取了关于3纳米工艺技术的报告，他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。
2020-01-06 10:42
华虹半导体最新推出90nm 超低漏电嵌入式闪存工艺平台，助力大容量MCU解决方案 全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出 90纳米超低漏电（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台，满足大容量微控制器（MCU）的需求。该工艺平台作为华虹半导体 0.11微米超低漏电技术的延续，以更低的功耗和成本为客户提供具有竞争力的差异化解决方案，适用于物联网、可穿戴式设备、工业
2020-10-22 16:46
