据统计，静电放电(Electro-Static Discharge, ESD)造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的38%。完好的全芯片ESD防护设计，一方面取决于满
2024-06-22 00:31
如何来评价一颗芯片的ESD能力呢？ 评价一颗芯片的ESD（Electrostatic Discharge）能力，可以从以下几个方面进行详尽、详实、细致的分析。 首先，
2023-11-07 10:30
CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，本文提出了一种新颖
2012-03-27 16:27
本文章为原创，禁止转载 1.问题描述 某医疗产品ESD静电放电要求通过接触±6kV、空气±8kV，判据A。实验室测试时，当对I/O接口进行接触±2kV、空气±4kV放电时，触摸屏闪屏和重启，实验
2023-01-11 09:21
。ESD引起的损坏情况有很多，从泄漏、短路到结和金属化烧毁、栅极氧化物破裂、电阻-金属接口劣化等，不一而足。在现实生活中，ESD引起的芯片故障示例包括：智能手机漏电、健身追踪器屏幕闪烁，或自动紧急制动系统失灵。 为了
2023-07-25 17:40
半导体芯片易受大电流与高电压现象影响。为实现元件级保护，我们采用片上ESD保护电路来提供安全的静电放电电流泄放路径。静电放电(ESD)是电子设备面临的常见威胁。当ESD
2025-05-13 11:21 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
ESD设计在芯片的可靠性中尤为重要，而其中电源的ESD钳位电路的设计对芯片的ESD表现的影响更为显著。本文简单介绍了电源
2022-12-02 17:05
LDMOS属于功率半导体器件，主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域，可采取GGNLDMOS的设计思路。
2023-12-06 13:54
Resistor不单独用于芯片的ESD保护，它往往用于辅助的ESD保护，如芯片Input第一级保护和第二级保护之间的限流电阻。如图5，当
2023-12-07 09:15
在亚微米以下的电路设计中，需要对电路进行全芯片的ESD保护结构的设计。如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为全
2012-04-23 10:17
