在芯片制造中，光刻技术在硅片上刻出纳米级的电路图案。然而，当制程进入7纳米以下，传统光刻的分辨率已逼近物理极限。这时， 自对准双重图案化（SADP） 的技术登上舞台， 氧化物间隔层切割掩膜 ，确保数十亿晶体管的精确成
2025-05-28 16:45
非光刻图案化方法可以从图案设计的自由度上分为三大类，第一类能够自由形成任意图案，主要包括扫描探针刻印（SPL）和喷墨打印；第二类需要在模板或预图案化基材的辅助下形成复杂
2023-06-21 15:49
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步，用于去除光刻胶(Photo Resist
2023-06-26 09:20
为履行向市场提供更环保的产品的使命，TDK矢志创新并开发了一种能在薄膜上印刷厚铜图案的电镀工艺。该工艺能让铜沉积在薄膜的一侧或两侧，可降低线圈（天线）的直流电阻 (DCR)。这一创新成果是TDK结合
2025-02-12 14:43
精确地用光致抗蚀剂图案化，并且能够承受图案被转移到Pt中，然后去除Cr掩模，只需要标准化学品和洁净室设备/工具，在王水蚀刻之前，铂上的任何表面钝化都需要去除，这通常通过在稀氢氟酸(HF)中快速浸泡来实现
2022-05-30 15:29
激光直写技术作为一种新兴的微纳加工方式，直接将激光聚焦到基底表面。通过激光自身或载物台的移动，无需制造光掩模就可以在基底上绘制图案。因此，通过发展代替新型激光直写技术，可以快速且低成本地实现微流控结构图案的制作。
2022-09-15 09:41
在 MEMS（微机电系统）制造领域，光刻工艺是决定版图中的图案能否精确 “印刷” 到硅片上的核心环节。光刻 Overlay（套刻精度），则是衡量光刻机将不同层设计图案对准精度的关键指标。光刻 Overlay 指的是芯片
2025-06-18 11:30
本文主要介绍了光敏电阻控制灯亮硬件设计图及程序分享。实验效果：在白天的情况下，当遮挡光敏电阻时，LED点亮，不遮挡光敏电阻时，LED熄灭，如下图所示，光敏电阻没有被盖住的时候LED熄灭，当光敏电阻被遮盖住，LED会点亮。（其中可以改变 if（val《=512） 语句中的判断值来改变光敏电阻的灵敏度）
2018-04-10 16:39
我们介绍了在氢氧化钾溶液中蚀刻的车轮图案和宽分离的V形槽的硅蚀刻速率测量。数据表明，当使用货车轮图案时，存在反应物耗尽效应，这掩盖了真实的表面反应速率限制的蚀刻速率。与以前的报道相反，从受反应物传输
2022-05-11 16:30
