。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子
2023-05-26 16:36
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及
2025-02-05 13:49
半导体薄膜沉积工艺是现代微电子技术的重要组成部分。这些薄膜可以是金属、绝缘体或半导体材料，它们在芯片的各个层次中发挥着不同的作用，如导电、绝缘、保护等。
2024-10-31 15:57
溅射镀膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
2023-02-24 09:51
进行MEMS制造的最基本需求是能够沉积1到100微米之间的材料薄膜。NEMS的制造过程是基本一致的，膜沉积的测量范围从几纳米到一微米。
2022-10-11 09:12
优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32
薄膜沉积技术主要分为CVD和PVD两个方向。 PVD主要用来沉积金属及金属化合物薄膜,分为蒸镀和溅射两大类，目前的主流工艺为溅射。CVD主要用于介质/半导体
2023-12-05 10:25
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“
2023-08-17 15:33
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“
2023-06-29 16:58
薄膜陶瓷基板一般采用磁控溅射、真空蒸镀等工艺直接在陶瓷基片表面沉积金属层。通过光刻、显影、刻蚀、电镀等工艺，将金属层图形化制备成特定的线路及膜层厚度。通常，薄膜陶瓷基板表面金属层厚度较小 (一般小于 4μm)。
2023-05-15 10:18
