顶层金属工艺是指形成最后一层金属互连线，顶层金属互连线的目的是实现把第二层金属连接起来。顶层金属需要作为电源走线，连接很长的距离，需要比较低的电阻，需要很大的宽度以支持很大的电流。顶层金属层也是三文治结构。
2024-10-29 14:09
技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺现在可以达到仅7 nm的fin宽度，比30个硅原子稍大一点。半导体制造已经跨越了从纳米级到原子级工艺
2020-06-02 18:04
在英特尔简化的工艺流程中（见图 5），该工艺首先制造出鳍式场效应晶体管（finFET）或全栅极晶体管，然后蚀刻纳米硅片并填充钨或其他低电阻金属。
2024-02-28 11:45
本文主要针对用于ESD防护的SCR结构进行了研究。通过对其ESD泄放能力和工作机理的研究，为纳米工艺下的IC设计提供ESD保护。本文的研究主要集中在两种常见的SCR上，低触发电压SCR（LVTSCR）与二极管辅助触发SCR（DTSCR）。
2013-06-08 14:42
a17芯片是几纳米 a17芯片是3纳米。据了解，苹果最新的A17芯片将采用台积电的3nm
2023-09-26 11:41
在20世纪70年代、80年代和90年代的大部分时间里，最近的金属线半节距和栅极长度半节距的尺寸基本上相同，选择该值作为节点名称是因为它用单个数字传达了密度的概念和性能的概念。
2024-01-02 11:18
芯片的封装工艺始于将晶圆分离成单个的芯片。划片有两种方法：划片分离或锯片分离。
2023-11-09 14:15
三星以及台积电在先进半导体制程打得相当火热，彼此都想要在晶圆代工中抢得先机以争取订单，几乎成了 14 纳米与 16 纳米之争，然而 14 纳米与 16 纳米这两个数字的
2019-10-14 10:38
芯片封装工艺知识大全：
2019-07-27 09:18
