硅晶片的蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的硅晶片进行最终聚合处理,对上述最终聚合的硅
2022-04-13 13:35
为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS,利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻,在晶片
2022-04-24 14:59
引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化学特性,在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中,硅面贴膜是一道关键步骤,用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而
2025-02-07 09:55 广州万智光学技术有限公司 企业号
通过单晶生长工艺获得的单晶硅锭,因硅材质硬脆特性,无法直接用于半导体芯片制造,需经过机械加工、化学处理、表面抛光及质量检测等一系列处理流程,才能制成具有特定厚度和精度要求的硅片。其中,针对
2025-06-06 14:10
电子发烧友网核心提示 :对于系统设计人员而言,提高积体电路的整合度既是好消息,也带来新问题。好消息是,在每一个硅晶片的新制程节点,晶片设计人员都能够在一个晶片中封装
2012-10-17 11:31
材料差异: 硅光芯片主要使用硅作为材料,而传统芯片则使用硅晶体。硅光
2024-07-12 09:33
硅的碱性刻蚀液:氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺(TMAH)溶液,晶片加工中,会用到强碱作表面腐蚀或减薄,器件生产中,则倾向于弱碱,如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒,一部
2023-06-05 15:10
本文利用CZ、FZ和EPI晶片,研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明,表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性:随着硅基底的微粗糙度的增加,氧化物的
2022-04-14 13:57
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片,它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓
2024-01-10 10:08
金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅
2022-04-29 15:09