1. 为什么要pad oxidation？仅仅是为了抵消SIN和SI之间的应力吗？这里的所谓应力指的是由于热膨胀导致的SIN和SI之间的应力吗？（印象中两者的的热膨胀系数好象很接近的？难道SIO2的是介于两者之间的？
2011-12-02 14:32
CMEMS工艺技术是什么？Si501/2/3/4（Si50x）CMEMS振荡器架构是如何构成的？
2021-06-08 07:26
1995年希腊科学家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外线照相技术,各向异性的反应离子刻蚀和高温氧化的后处理工艺,首次在硅平面上刻划了尺寸小于20nm的硅柱和 硅线的表面结构,观察到了类似于多孔硅的光激发光现象。
2019-09-26 09:10
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管，称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET。以功能类型划分，MOSFET分为增强型和耗尽型两种，其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01
STM32和SI4432芯片的硬件是怎样连接的？如何对SI4432芯片的软件进行调试呢？
2021-12-20 07:40
现在很多可穿戴设备当中应用了silicon labs 的 si1132和 ST的 UVIS25来检测紫外线指数，也有一些可以测量心率的芯片，比如Si114x，请问下这些芯片
2016-01-12 15:17
1吗?还是说先写进i2con,等下次I2CON |= SI;发生时在写入 //设备地址 I2DAT = EEPROM_
2023-08-24 06:03
一、高频高速板材材料介绍在选择用于高频电路的PCB所用的基板时，要特别考察材料DK，在不同频率下的变化特性。而对于侧重信号高速传输方面的要求，或特性阻抗控制要求，则重点考察DF及其在频率、温湿度等条件下的性能。
2019-07-29 08:26
线路上的数据波都可以，但SRAM没有响应。MISO线ReMin在高电平。保持（引脚7）被绑定到3V，SiO2（引脚3）被连接到GND。我试图替换MCU和SRAM，但问题仍然存在。这是我的简单代码。我哪里错了？谢谢。
2019-08-08 11:07
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00
