SiO₂薄膜的厚度量测原理主要基于光的干涉现象。具体来说，当单色光垂直照射到SiO₂薄膜表面时，光波会在薄膜表面以及薄膜与基底的界面处发生反射。这两束反射光在返回的过程中会发生干涉，即相互叠加，产生
2024-09-27 10:13
SiO₂薄膜在集成电路中扮演着至关重要的角色，其作用主要包括以下几个方面： 绝缘层 ：SiO₂薄膜作为良好的绝缘材料，被广泛应用于集成电路中作为绝缘层。它能够有效地隔离
2024-09-27 10:19
SiO₂膜层镀膜过程中出现的膜裂问题，可以通过多种方法来解决。以下是一些主要的解决策略： 1. 优化镀膜工艺 蒸发速度控制 ：蒸发速度的设置对膜层厚度有直接的影响，进而影响膜层的应力和均匀性。需要
2024-09-27 10:08
（Si）、二氧化硅（SiO2）、锗（Ge）等。其中，硅是最为常见和广泛应用的半导体材料之一。 硅是地壳中非常丰富的元素之一，它具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械性能，因此硅材
2024-02-04 09:46
各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P
2016-08-05 17:45
漂移速度（2.7x10⁷cm/s）则是Si 的2.7倍，热导率(4.9W/ (cm •K)）约是Si的3.2倍。Si、GaAs、4H-SiC 三种半导体材料的物理参数见
2023-11-10 09:22
光电集成芯片的材料主要包括有机聚合物材料、硅基半导体材料、铌酸锂以及一些磁性材料
2024-03-18 15:20
晶圆的层次结构如下图所示：硅基板P型衬底为掺杂硼原子的Si，N阱(n-well)为掺杂磷原子的Si；其上面为隔离作用的场氧层是SiO2，场氧层上面由多晶硅做的Poly电阻，其通过接触孔
2022-10-31 10:33
芯片封装是将芯片（例如集成电路）放置在一个保护性的封装材料中，以提供机械保护、电气隔离和热管理等功能。常见的芯片封装材料
2023-10-26 09:26
