芯片制作工艺流程 工艺流程1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2) 初次氧化 有热氧化法生成
2019-08-16 11:09
的光刻胶，剩下未感光的光刻胶。 最后进行刻蚀，第五步是通过物理和化学手段把SiO2薄层上未被光刻胶保护的SiO2“刻蚀”掉，只保留受光刻胶保护的SiO2；第六步是把SiO2
2025-04-02 15:59
材料及取向处理方法有多种，如摩擦法，斜蒸SIO2方法等等。常用的是在玻璃表面涂覆一层有机高分子薄膜，再用绒布类材料高速摩擦来实现取向。这种有机高分子薄膜常用的材料就是聚
2018-11-27 16:15
有机无机复合ZrO2 2SiO2 平面光波导摘要: 采用溶胶凝胶法合成ZrO22SiO2 有机无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO
2009-08-08 09:57
1. 为什么要pad oxidation？仅仅是为了抵消SIN和SI之间的应力吗？这里的所谓应力指的是由于热膨胀导致的SIN和SI之间的应力吗？（印象中两者的的热膨胀系数好象很接近的？难道SIO2的是介于两者之间的？
2011-12-02 14:32
was used to prepare ferrite t hin film on SiO2 layer . The ferrite film of surface ap2pear s crack
2009-08-08 09:42
，比之过去的SiO2有所降低,但降低布线电容的效果却不大。不过，由于材料组成与SiO2相近，成膜及加工的工艺技术稍作改动即可，故许多芯片制造商都已采用。 设计方法无需
2018-08-29 10:53
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13
即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 1、 表面清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD
2011-12-01 15:43
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或
2021-04-23 07:04
