氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等
2019-06-25 07:41
` 谁来阐述一下led芯片是什么材料做的？`
2020-04-13 16:06
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18
厂商大放异彩。其中砷化镓晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。 稳懋：全球最大的砷化镓晶圆代工龙头 稳懋成立于1999年10月，是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化镓微波通讯芯片的
2019-05-27 09:17
什么是MLCCMLCC的主要材料和核心技术及LCC的优点
2021-02-05 06:59
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54
随着在晶体管制造中引入诸如氮化镓 (GaN) 等新型宽带隙材料，品质因数的显著改善转化为电源的潜在改良。 在这篇包括两个部分的博客系列中，我将讨论这些新型宽带隙材料是怎样能让新设计从中受益的。 采用
2018-08-30 14:43
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造
2019-09-11 11:51
