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湿法刻蚀的工艺指标是确保半导体制造过程中图形转移精度和器件性能的关键参数，主要包括以下几个方面：刻蚀速率定义与意义：指单位时间内材料被去除的厚度（如μm/min或nm/s），直接影响生产效率和成本

2025-09-02 11:49 芯矽科技 企业号

在半导体湿法工艺中，高精度温控器是必需的关键设备，其应用贯穿多个核心环节以确保工艺稳定性和产品良率。以下是具体分析：一、为何需要高精度温控？化学反应速率控制湿法蚀刻、清

2025-08-12 11:23 芯矽科技 企业号

湿法腐蚀工艺处理硅片的核心原理是基于化学溶液与硅材料之间的可控反应，通过选择性溶解实现微纳结构的精密加工。以下是该过程的技术要点解析：化学反应机制离子交换驱动溶解：以氢氟酸（HF）为例，其电离产生

2025-09-02 11:45 芯矽科技 企业号

反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。

2018-12-14 16:05

摘要：本文针对湿法腐蚀工艺后晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，探讨从工艺参数优化、设备改进及检测反馈机制完善等方面入手，提出一系列优化方法，以有效降低湿法腐蚀后晶圆

2025-05-22 10:05 新启航半导体有限公司 企业号

半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻

2022-04-21 12:27

在半导体制造中，“湿法flush”（WetFlush）是一种关键的清洗工艺步骤，具体含义如下：定义与核心目的字面解析：“Flush”意为“冲洗”，而“湿法”指使用液体化学品进行操作。该过程通过喷淋或

2025-08-04 14:53 芯矽科技 企业号

但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。

2023-11-14 09:31

蚀刻的历史方法是使用湿法蚀刻剂的浸泡技术。该程序类似于前氧化清洁冲洗干燥过程和沉浸显影。晶圆被浸入蚀刻剂罐中一段时间，转移到冲洗站去除酸，然后转移到最终冲洗和旋转干燥步骤。湿法蚀刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在该水平以下，需要控制和精度，需要干法蚀刻技术。

2024-10-24 15:58

目前锂离子电池隔膜的主要生产工艺有干法以及湿法两种，而湿法隔膜因为其在热收缩等方面的优势成为目前隔膜行业新的发展方向，2012年开始新增项目以及扩产项目纷纷以湿法隔膜线

2018-04-08 17:22