反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05
摘要：本文针对湿法腐蚀工艺后晶圆总厚度偏差（TTV）的管控问题，探讨从工艺参数优化、设备改进及检测反馈机制完善等方面入手，提出一系列优化方法，以有效降低湿法腐蚀后晶圆
2025-05-22 10:05 新启航半导体有限公司 企业号
半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻
2022-04-21 12:27
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31
蚀刻的历史方法是使用湿法蚀刻剂的浸泡技术。该程序类似于前氧化清洁冲洗干燥过程和沉浸显影。晶圆被浸入蚀刻剂罐中一段时间，转移到冲洗站去除酸，然后转移到最终冲洗和旋转干燥步骤。湿法蚀刻用于特征尺寸大于3微米的器件。在该水平以下，需要控制和精度，需要干法蚀刻技术。
2024-10-24 15:58
目前锂离子电池隔膜的主要生产工艺有干法以及湿法两种，而湿法隔膜因为其在热收缩等方面的优势成为目前隔膜行业新的发展方向，2012年开始新增项目以及扩产项目纷纷以湿法隔膜线
2018-04-08 17:22
湿式蚀刻过程的原理是利用化学溶液将固体材料转化为液体化合物，选择性非常高，因为所使用的化学物质可以非常精确地适应于单个薄膜。对于大多数溶液的选择性大于100：1。液体化学必须满足以下要求：掩模层不能攻击选择性必须高蚀刻过程必须能够停止稀释水反应产物必须是气态，因为他们可以阴影其他区域恒定蚀刻率整个过程反应产物必须溶解，以避免颗粒环境安全和易于处置是必要的。
2022-04-15 14:56
微孔制备技术是锂离子电池隔膜制备工艺的核心，其分为干法单向拉伸、干法双向拉伸和湿法工艺。
2018-03-20 13:50
在超大规模集成(ULSI)制造的真实生产线中，器件加工过程中存在各种污染物。由于超大规模集成电路器件工艺需要非常干净的表面，因此必须通过清洁技术去除污染物，例如使用批量浸渍工具进行湿法清洁批量旋转
2022-04-08 14:48
芯片的封装工艺始于将晶圆分离成单个的芯片。划片有两种方法：划片分离或锯片分离。
2023-11-09 14:15
