硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的
2024-10-14 15:48
芯片压降的管理是确保集成电路（IC）稳定运行的关键，涉及单板（PCB）、封装、芯片内部等多个层面。具体的推荐指标数据因应用领域、工艺节点、
2024-10-22 15:40
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
的流程。由于在单板PCB上从源端到芯片负载端的路径上，铜皮存在DC电阻，电源在PCB路径上就会产生电压压降，如果压降太大，芯片
2022-02-28 10:50
芯片反向分析（reverseengineering, RE）也称反向设计或反向工程，之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。
2018-08-01 11:17
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
Si-FRD从正向切换到反向的瞬间会产生极大的瞬态电流，在此期间转移为反向偏压状态，从而产生很大的损耗。这是因为正向通电时积聚在漂移层内的少数载流子不断地进行电传导直到消亡（该时间也称为积聚
2018-04-10 11:02
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种具有压降速率检测的低功耗压力变送器。该专利由特福隆（上海）科技有限公司申请，并于2016年10月5日获得授权公告。
2018-11-09 09:27
