湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 各位大侠：有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水，请告知或提供联系方法。谢谢！！！本人的QQ号码是：414615292
2012-08-08 14:51
有人知道 为什么光刻完事 剥离那么容易脱落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的
2021-07-19 11:03
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12
0.36 到 0.70 µm。各层的标称组成为 In0.485Gao.mP。蚀刻前，样品在沸腾的丙酮、三氯乙烯和甲醇中清洗，并用氮气吹干。最初，使用正性光刻胶 AZ 5214 (Hoechst
2021-07-09 10:23
