书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科
2021-07-06 09:39
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
并可作永久隔层。 NR9-P 系列 负性光刻胶，具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。 NR71-P 系列 负性光刻胶，用于干法蚀刻中掩模应用并能作为永久隔层。 NR21-
2010-04-21 10:57
。 为什么需要EUV光刻？ EUV的优势之一是减少了芯片处理步骤，而使用EUV代替传统的多重曝光技术将大大减少沉积、蚀刻和测量的步骤。目前EUV技术主要运用在逻辑工艺制程中，这导致了2019年订单
2020-07-07 14:22
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53
TSMC，中芯国际SMIC 组成:核心:生产线，服务:技术部门，生产管理部门，动力站（双路保障），废水处理站(环保，循环利用)等。生产线主要设备: 外延炉，薄膜设备，光刻机，蚀刻机，离子注入机，扩散炉
2025-03-27 16:38
]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移
2018-08-23 11:56
本帖最后由 iweimo 于 2014-10-20 15:07 编辑 先分享光刻的参考资料。============================2014-10-17========光刻分类
2014-09-26 10:35
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
如题，如何选择正确的ADC 输入端：是先滤波再放大，还是先放大再滤波呢？欢迎大家根据您的经验讨论哦
2018-11-07 09:04
