英特尔则是认为可以使用一种GAA FET的最新形态——堆叠式CFET场效应管架构。这种架构的集成密度进一步提升，将n型和p型MOS元件堆叠在一起，可以堆叠8个纳米片，比RibbonFET多一倍。
2023-12-02 15:54
芯片的7nm工艺我们经常能听到，但是7nm是否真的意味着芯片的尺寸只有7nm呢？让我们一起来看看吧！
2023-12-07 11:45
接着上文，MCU芯片设计了mbist、scan chain之后，功能仿真失败？
2023-02-20 09:35
、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全IP在TSMC 7nm工艺技术实现了先进的汽车设计规则，以满足ADAS和自动驾驶芯片的可靠性及运行要求。推出此项支持TSMC 7
2018-11-13 16:20
据悉，下一代EUV光刻机必须要升级下一代的高NA(数值孔径)标准，从现在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味着更分辨率更高，是3nm之后的工艺必备的条件。
2022-11-30 09:52
据外媒报道，日本Dowa Electronics Corporation日前表示，已经开发出1300 nm波段的近红外芯片。
2018-09-14 16:06
SiLC在单芯片上集成了1550nm调频连续波（FMCW）激光雷达（LiDAR）功能。
2018-12-23 13:57
XX nm制造工艺是什么概念？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28
2019-02-20 11:08
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、
2023-02-14 09:31
在28nm技术突破的基础上，赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公
2018-01-12 05:49
