在封装前，通常要减薄晶圆，减薄晶圆主要有四种主要方法：机械磨削、化学机械研磨、湿法蚀刻和等离子体干法化学蚀刻。
2024-01-26 09:59
相位控制或减光器电路
2009-01-21 01:34
安全灯减光器电路
2009-01-21 01:31
作用不同 减光镜：减光镜的最主要作用是减少进入相机镜头的光量，也称为ND镜、中灰密度镜。它相当于相机镜头的墨镜，可以让照片变得更有趣之外，也可以在摄影上配合半快门来拍摄涓涓流水、车水马龙、天狗食日、星轨等景象。减光镜
2023-08-30 11:00
激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要对晶圆进行减薄，厚度有做到80um的，也有120um的，通常为兼顾
2022-07-15 12:01
本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒
2022-03-29 14:56
减成法工艺是在覆铜箔层压板表面上，有选择性除去部分铜箔来获得导电图形的方法。减成法是当今印制电路制造的主要方法，它的最大优点是工艺成熟、稳定和可靠。
2020-11-13 16:38
英寸晶圆厚度约为670微米，8英寸晶圆厚度约为725微米，12英寸晶圆厚度约为775微米。尽管芯片功能层的制备仅涉及晶圆表面几微米范围，但完整厚度的晶圆更有利于保障复杂工艺的顺利进行。直至芯片前制程完成后，晶圆才会进入封装环节进行
2025-05-09 13:55
相信大家都知道，全球气候变暖问题日益严重，节碳减排已经成为了全球的共同使命。而功率半导体技术，作为电子设备的核心技术之一，在节碳减排方面发挥着重要作用。今天我们就来聊聊功率半导体技术如何助力节碳减排
2024-06-12 11:03 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
减薄晶片有四种主要方法，(1)机械研磨，(2)化学机械平面化，(3)湿法蚀刻(4)等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变薄，而蚀刻则使用化学物质来使基板变薄。
2023-05-09 10:20
