最近，做了一款小功率的开关电源，在进行调试的时候，发现MOS管发热很严重，为了解决MOS管发热问题，要准确判断是否是这些原因造成，最重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。
2018-08-20 10:34
前段时间，一台稍特的电源，调试过程中，发现桥堆很奇怪的发热。在这将问题查找及解决过程分享一下。在迷底没揭开之前，也希望网友们积极分析其原因。 先大概说一下，这个电源因特殊要求，要有2组独立的PFC。
2016-12-14 16:21
经验证明，LED尤其是大功率LED的寿命主要依赖于芯片的结温，温度越高。可靠性越低，工作寿命越短。因此不仅需要从LED材料、制作方式、封装结构以及发光原理等方面综合设计LED器件，更重要的是解决目前存在LED器件以及灯具中的散热问题，选择合适的封装结构、合理的散热方式，并应用到LED照明中。
2019-10-23 16:36
本文开始介绍了什么是ptc发热体与PTC发热体特点，其次介绍了ptc发热体外形结构PTC发热体优点，最后分析看ptc发热
2018-03-05 14:35
本文介绍了如何解决STM32芯片Flash写保护导致无法下载程序，无法在线调试的问题;如果您遇到相同的问题，希望本文可以带来一些帮助。
2022-03-14 17:24
因为手机不发热并不代表手机内部没有发热，很有可能是内部缺少散热石墨贴片或者本身导热性能不佳，造成热量囤积在手机内部无法散热所导致，这样可能会因为手机内部长期高温而对手机内部元件造成一定的伤害。所以，咱们还是要具体情况具体分析哦~
2018-05-29 14:21
Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
2021-02-08 17:38
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（这里不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。01MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。01
2025-02-11 10:39 台懋半导体（无锡）有限公司 企业号
iphone XS使用发热严重怎么办？iphone XS刚发布不久就有很多用户反应发热严重，iphone XS发热解决方法是什么？为什么会发热？
2019-12-29 12:06
