与亚微米工艺类似，栅氧化层工艺是通过热氧化形成高质量的栅氧化层，它的热稳定性和界面态都非常好。
2024-11-05 15:37
本文开始介绍了芯片卡特点和芯片卡的标准，其次介绍了磁条卡概念、优缺点以及磁条卡的分类，最后介绍了
2018-04-08 09:32
高压氧化必须使用特殊的硬件条件，下图是高压氧化系统的说明图。由于硬件条件的复杂性和安全因素，先进半导体生产中并不常使用高压氧化技术。
2022-09-02 11:06
IC引脚的氧化问题是电子元器件制造和维护过程中经常遇到的一个挑战。氧化引脚可能会导致连接不良、信号干扰以及设备故障。因此，对IC引脚是否氧化进行准确判定是非常重要的。
2024-01-12 09:20
二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36
Redistribution layer (再分布层，RDL)，是添加到集成电路或微芯片中以重新分配电气连接的金属层。这种RDL技术是一种用于集成电路（IC）的先进封装解决方案，允许将多个
2023-12-06 18:18
多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窝状结构，膜层的空隙率决定于电解液的类型和氧化的工艺条件。氧化膜的多孔结构，可使膜层对各种有机
2023-10-11 15:59
氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是两种在CMOS工艺中广泛使用的介电层薄膜。
2025-06-24 09:15
