反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面
2018-12-14 16:05
干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程，通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分，通过掩膜和刻蚀参数的调控，可以实现各向异性及各向同性
2024-01-20 10:24
刻蚀硅，硅的均匀剥离，同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料（如高介电常数和金属栅极），那么在后栅极制程，多晶硅的去除常用氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，制程关键是控制溶液的温度和浓度，以调整刻蚀对
2023-06-05 15:10
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻
2024-04-12 11:41
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01
光电集成芯片的材料主要包括有机聚合物材料、硅基半导体材料、铌酸锂以及一些磁性材料。这些
2024-03-18 15:20
主要介绍几种常用于工业制备的刻蚀技术，其中包括离子束刻蚀（IBE）、反应离子刻蚀（RIE）、以及后来基于高密度等离子体反应离子的电子回旋共振等离子体刻蚀（ECR）和电感
2024-10-18 15:20
什么是刻蚀？刻蚀是指通过物理或化学方法对材料进行选择性的去除，从而实现设计的结构图形的一种技术。蚀刻是半导体制造及微纳加工工艺中相当重要的步骤，自1948年发明晶体管到现在，在微电子学和半导体领域
2024-12-20 16:03 Piezoman压电侠 企业号
但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液
2023-05-29 10:48
芯片封装是将芯片（例如集成电路）放置在一个保护性的封装材料中，以提供机械保护、电气隔离和热管理等功能。常见的芯片封装材料
2023-10-26 09:26
