上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需
2024-09-13 10:10 伯东企业(上海)有限公司 企业号
随着基于铌酸锂 LN 的光源, 光调制, 光探测等重要器件的实现, 铌酸锂 LN 光子集成芯片有望像硅基集成电路一样, 成为高速率, 高容量, 低能耗光学信息处理的重要平台, LiNbO3 薄膜刻蚀
2024-09-13 10:59 伯东企业(上海)有限公司 企业号
刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一, 上海伯东日本 Atonarp Aston 质谱仪适用于等离子体刻蚀过程及终点监测 (干法刻蚀终点检测), 通过持续监控腔室工艺化学
2024-10-18 13:33 伯东企业(上海)有限公司 企业号
在半导体制造领域,晶圆抛光作为关键工序,对设备稳定性要求近乎苛刻。哪怕极其细微的振动,都可能对晶圆表面质量产生严重影响,进而左右芯片制造的成败。以下为您呈现一个防震基座在半导体晶圆
2025-05-22 14:58 江苏泊苏系统集成有限公司 企业号