]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移
2018-08-23 11:56
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶
2019-11-07 09:00
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13
芯片委托加工合同并拿到客户的电路版图数据后，首先要根据电路版图数据制作成套的光掩膜版。 晶圆上电路制造 准备好硅片和整套的光掩膜版后，芯片制造就进入在警员上
2025-04-02 15:59
的用于保护不被刻蚀区域的光刻胶将被移除。 封装在一块晶圆上制造出芯片需要经过上千道工序，从设计到生产需要三个多月的时间。
2022-04-08 15:12
工艺流程: 芯片设计，光掩模版制作，晶圆上电路制造，(薄膜氧化，平坦化，光刻胶涂布，光刻，刻蚀，离子注入扩散，裸片检测)
2025-03-27 16:38
你的产品方案是否需要用到加密芯片https://bbs.elecfans.com/jishu_530180_1_1.html(出处: 中国电子技术论坛)
2015-11-30 13:27
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
