的加工工艺流程，加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来，实现单片机IC芯片的更小化。
2018-08-23 17:34
。 光刻则是在晶圆上“印刷”电路图案的关键环节，类似于在晶圆表面绘制半导体制造所需的详细平面图。光刻的精细度直接影响到成品芯片的集成度，因此需要借助先进的光刻技术来实现。 刻蚀
2024-12-30 18:15
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不
2018-10-15 15:11
就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中，罩的材料为光阻性的，这和光刻中利用的原理类似。而在其他情况中，刻蚀罩需要耐受某些化学物质，氮化硅就可以用来制造这样的“罩”。“干法”（等离子）
2017-10-09 19:41
看一看，数一数，制造一枚合格的芯片都需要哪些设备？光刻机光刻机是芯片
2018-09-03 09:31
的用于保护不被刻蚀区域的光刻胶将被移除。 封装在一块晶圆上制造出芯片需要经过上千道工序，从设计到生产需要三个多月的时间。
2022-04-08 15:12
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“刻制”出材料层的图形。 首先准备好硅片和光掩膜版
2025-04-02 15:59
击穿电压。同时，还简要描述了这种器件的制造工艺。关键词：静电感应晶闸管；埋栅结构；台面刻蚀；栅阴击穿；表面缺
2009-10-06 09:30
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但
2022-08-31 16:29
蒸发，所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此，需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡
2018-12-21 13:49
