本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研发
2023-05-16 10:45 深圳市科瑞特自动化技术有限公司 企业号
LED 芯片退火合金炉属于真空炉的一种, 需要在真空环境下实现 LED 芯片的退火, 合金, 湿氧氧化, 欧姆电极烧结等工艺. 腔体真空度一般在 10-3 至 10-6
2023-08-07 14:14 伯东企业（上海）有限公司 企业号
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→
2016-08-05 17:45
离子注入后的快速加热退火(RTA)工艺是快速加热步骤 (RTP)中最常使用的一种技术。当离子注入完成后，靠近表面的硅晶体结构会受到高能离子的轰击而严重损伤，需要高温退火消除损伤来恢复单晶结构并激活
2022-10-24 09:26
据安徽省量子计算工程研究中心副主任贾志龙介绍，该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司研发，设备可达到百纳米级超高定位精度，可对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火。
2023-01-05 11:10
主要应用领域： 1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)； 2.离子注入/接触退火； 3.金属合金； 4.热氧化
2023-08-16 18:24
快速热退火工艺（Rapid Thermal Annealing, RTA）是一种在半导体制造中常用的处理工艺，特别是在硅基集成电路的生产过程中。它主要被用于晶圆上薄膜的退火，以改善薄膜的电学性能，减少杂质和缺陷，或改
2023-11-11 10:53 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
羟基硫化铟具有资源丰富、价格低廉、无毒、耐辐射、耐高温、化学稳定性好等特点，是一种非常重要的光电、光伏和光传感薄膜材料。对这种材料的一些处理包括热退火，这是一种用于内部应力释放、结构改善和表面粗糙化
2022-05-24 17:04
通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对衬底晶格造成损伤。
2022-11-02 10:03
