的加工工艺流程，加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来，实现单片机IC芯片的更小化。
2018-08-23 17:34
，这种特殊材料含有高达95%的二氧化硅，它是晶圆制作不可或缺的原材料。 氧化的目的是在晶圆表面形成一层保护膜。这层膜能够抵御化学杂质的影响，防止漏电流进入电路，同时还能在刻蚀过程中起到预防扩散和滑脱的作用
2024-12-30 18:15
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散
2018-10-15 15:11
，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。刻蚀（英语：etching）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果
2017-10-09 19:41
，尼康在ASML面前被打的毫无还手之力，高端光刻机市场基本被ASML占据。光刻机工作原理在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线
2018-09-03 09:31
一个（如果不是这样的话），确保板元件之间足够间隙的主要原因是： 阻焊剂。这是一项基本的制造任务，可以保护您的电路板并帮助隔离必须在焊接过程中焊接的电气连接。印刷电路板。PCB设计步骤5：尽可能避免
2020-10-27 15:25
。正性光刻胶在半导体制造中使用得最多，因其可以达到更高的分辨率，从而让它成为光刻阶段更好的选择。现在世界上有不少公司生产用于半导体制造的光刻胶。 光刻光刻在芯片制造
2022-04-08 15:12
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“
2025-04-02 15:59
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速
2018-12-21 13:49
