沟槽(Trench)技术制造,4N04L04-VB能够提供可靠的电源管理和功率开关性能。### 二、4N04L04-VB 详细参数说明- **封装类型**: TO2
2024-11-12 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
IRFY440CM 功率MOSFET详解产品概述:IRFY440CM 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为高频开关应用而设计。它具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够有效提高电源转换效率
2024-10-27 18:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
2N6790 功率晶体管详解产品概述2N6790 是一种高功率 NPN 晶体管,专为高频和高功率应用而设计。它具有良好的热稳定性和可靠性,适用于各种电子电路中,尤其是在功率放大器和开关电源等领域
2024-10-27 18:15 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
dB,LO/RF 隔离度为 30 dB。标签:表面贴装,三重平衡混频器。T3-04 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号T3-04制造商马基微波炉描述
2023-05-24 16:46 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 4N04L04-VB MOSFET 产品简介4N04L04-VB 是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用了Trench技术,封装为TO252。它具有低导通电
2024-11-12 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
SMP04是一款单芯片四通道采样保持器件,内置四个精密缓冲放大器和保持电容。该器件采用ADI先进的氧化物隔离CMOS技术制成,具有高精度、低下降率和采集时间快的特点,是数据采集和信号处理系统的理想
2023-02-22 17:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号