一层选择性CVD钴覆盖膜，改善接触界面，进而提高器件的可靠性可达到80倍。钴薄膜沉积突破了导线互联技术传统瓶颈全新PVD沉积
2014-07-12 17:17
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相
2021-07-08 13:13
即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品 1、 表面清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot
2011-12-01 15:43
盖楼一样，层层堆叠。 总结一下，芯片制造的主要过程包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装。 晶圆，作为单晶柱体切割而成的圆薄片，其制作原料是硅或砷化
2024-12-30 18:15
：电阻器件的数据手册中通常会说明其制造工艺和材料类型，通过查阅相关数据手册可以进一步确认电阻是薄膜还是厚膜。 需要注意的是，有些电阻可能是混合型的，既有薄膜又有厚膜的特
2024-03-07 07:49
第二章对芯片制造过程有详细介绍，通过这张能对芯片制造过程有个全面的了解 首先分为前道工序和后道工序 前道工序也称扩散工艺，占80%工作量，进一步分为基板工艺
2024-12-16 23:35
。为了沉积出非常纯的薄膜，要求沉积速率高和低气体(H20、CO2、C0、O2、N2)残余压力。对于真空蒸发来说这些条件都不是很难的，比如在10-6 torr 的压力下蒸发速率可以达到1000 Å /s。表
2016-12-08 11:08
的气体极多；(4)原料价格昂贵等缺点。多层布线间的层间绝缘膜的沉积，以及最后一道工序的芯片保护膜的沉积必须在低温下(450 C 以下)下进行，以免损伤铝布线。等离子CVD
2019-08-16 11:09
技术的提高，开始涌现出多种制备手段，并且也利用多种技术制备了PZT压电薄膜，如磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术（PLD）、化学气相沉积（CVD）和金属化合物气相
2020-06-30 17:31
做薄膜的都可以学习一下
2015-04-22 13:44
