• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • GaN基微波半导体器件材料的特性

    宽禁带半导体材料氮化(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化(GaAs)、磷化(GaP)、磷化铟(InP)等

    2019-06-25 07:41

  • 什么是氮化(GaN)?

    氮化南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化。氮化凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱

    2019-07-31 06:53

  • 工业4.0和中国智能制造

    ”10. 复合材料制造自动化技术的应用与未来发展2. 工业强基专项重点方向与最新进展11. 先进高端医疗设备制造对于精密零部件新需求3. 我国制造业与两化融合重点方向分

    2015-03-25 10:22

  • 硅基氮化与LDMOS相比有什么优势?

    射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。

    2019-09-02 07:16

  • 主流的射频半导体制造工艺介绍

    1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合

    2019-07-29 07:16

  • 基于LTCC技术的3-D超材料制造与设计

    和磁导率各自定义为ε' ±jε'' 和μ '''' '±jμ ''。物理学家更喜欢正号,而电气工程师更喜欢负号。绝大多数的自然材料 ε >0,μ >0。金属在光频段ε<0,μ <0。抗磁材料ε>0

    2019-05-28 06:48

  • 电涡流式传感器可测铁磁和非铁磁所有金属材料

    电涡流式传感器可测铁磁和非铁磁所有金属材料

    2015-12-02 09:52

  • 射频从业者必看,全球最大的砷化晶圆代工龙头解读

    厂商大放异彩。其中砷化晶圆代工龙头稳懋就是最大的受益者。 稳懋:全球最大的砷化晶圆代工龙头 稳懋成立于1999年10月,是亚洲首座以六吋晶圆生产砷化微波通讯芯片

    2019-05-27 09:17

  • 常见的陶瓷金属化技术

    斯利通陶瓷电路板分析4种陶瓷电路板制造技术中,激光活化金属化将成主流工艺

    2021-01-06 07:03

  • NFC手机与无线充电器金属干扰解决材料

    Communication)支付手机等手持式设备中,电子标签上,主要作用是降低金属材料对信号磁场的吸收,同时铁氧体膜本身是一种高温烧结的铁氧体材料,通过增加磁场强度,有效增加感应距离.支付型手机(NFC)付费方法

    2012-05-07 17:50