。 IC制造中所用光刻胶通常有三种成分：树脂或基体材料、感光化合物（PAC）以及可控制光刻胶机械性能（基体粘滞性）并使其保持液体状态的溶剂 [4]。正性
2018-08-23 11:56
半导体制造领域的标志：NR9-PY 系列负性光刻胶，适用于lift-off工艺；具有高效粘附性，高反应速度并耐高温性能好。 NR71-PY 系列 负性光刻胶，适用于lift-off工艺，耐高温性能好
2010-04-21 10:57
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶
2019-11-07 09:00
这是我的版图一部分，然后生成了图案是这样的： 感觉间距小的地方全都有残留，间距大的地方没有残留；工艺参数：s9920光刻胶， evg 620‘未进行蒸汽底漆层涂覆，前烘：100摄氏度，90s
2016-11-29 14:59
芯片委托加工合同并拿到客户的电路版图数据后，首先要根据电路版图数据制作成套的光掩膜版。 晶圆上电路制造 准备好硅片和整套的光掩膜版后，芯片制造就进入在警员上
2025-04-02 15:59
151n光刻胶曝光显影后开口底部都会有一撮残留，找不到原因。各位帮分析下
2023-04-20 13:13
工艺:光刻胶除胶，蚀刻未被保护的SiO2，显影，除胶。 材料:晶圆，研磨抛光材料，光按模板
2025-03-27 16:38
芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表现出，这个数字还未达到上限。尽管芯片已经可以被如此大规模地生产出来，生产芯片却并非易事。
2022-04-08 15:12
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科技网址：http
2021-07-06 09:39
