统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤
2023-12-22 09:41
结构差异：功率二极管通常采用多层扩散工艺，具有大面积的P-N结，封装为大功率TO-220、TO-247等外壳；普通二极管通常采用单层扩散工艺，具有小面积的P-N结，封装为小功率的SOT-23、SOD-123等外壳。
2023-02-23 15:37
半导体知识 芯片制造工艺流程讲解
2019-01-26 11:10
集成电路的可靠性与内部半导体器件表面的性质有密切的关系，目前大部分的集成电路采用塑料封装而非陶瓷封装，而塑料并不能很好地阻挡湿气和可移动离子。为了避免外界环境的杂质扩散进入集成电路内部对器件产生影响，必须在芯片制造的
2024-10-30 14:30
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
接触孔工艺是指在 ILD 介质层上形成很多细小的垂直通孔，它是器件与第一层金属层的连接通道。通孔的填充材料是金属钨（W），接触孔材料不能用Cu，因为 Cu 很容易在氧化硅和衬底硅中扩散，Cu扩散
2024-11-15 09:15
电机作为现代工业中不可或缺的动力设备，其制造工艺的优劣直接影响到电机的性能、质量和可靠性。电机的制造工艺涵盖了多个环节，包括机加工、铁芯
2024-06-14 11:49
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P
2016-08-05 17:45
通常，我们将芯片的生产过程划分为前端制程和后端制程两大阶段，其中前端制程专注于芯片的制造，而后端制程则关注于芯片的封装。
2025-02-12 11:27
