与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤
2023-12-22 09:41
功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片
2023-02-24 15:34
晶圆扩散前的清洗是半导体制造中的关键步骤，旨在去除表面污染物（如颗粒、有机物、金属离子等），确保扩散工艺的均匀性和器件性能。以下是晶圆扩散清洗的主要方法及
2025-04-22 09:01
电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的
2023-08-01 10:35
电动机的技术经济指标在很大程度上与其制造材料、制造工艺有关。在电动机制造厂中，同样的设计结构，同一批原材料所制成的产品，其质量往往相差甚大。没有先进的
2023-07-21 17:19
功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片
2023-02-07 09:59
结构差异：功率二极管通常采用多层扩散工艺，具有大面积的P-N结，封装为大功率TO-220、TO-247等外壳；普通二极管通常采用单层扩散工艺，具有小面积的P-N结，封装为小功率的SOT-23、SOD-123等外壳。
2023-02-23 15:37
