半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15
看一看，数一数，制造一枚合格的芯片都需要哪些设备？光刻机光刻机是芯片制造
2018-09-03 09:31
。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。和光刻胶一样，
2022-04-08 15:12
精密微加工激光设备1.多种陶瓷基片（氧化铝，氮化铝，氧化锆，氧化镁，氧化铍）以及 厚薄膜电路基板，LTCC，HTCC，生瓷带，微集成电路，微波电路，天线模板， 滤波器，无源集成器件和其他多种半导体材料的精密微加工。高功率LED行业 的DPC，COB以及透明陶瓷等多种基板的精密切割划线和打孔。 2.激光适合加工各种不同种类的PCB材料，例如：FR4型覆铜箔板、涂覆铝金属层的PET膜、陶瓷、微波基材TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材时，激光直接成型技术优势更明显，不用与材料接触，就能进行光蚀，因此更可靠，不会对基材产生损害。激光直接大面积剥离铜层不伤基底材料（软基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:24
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“
2021-07-29 09:36
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53
镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的
2021-07-19 11:03
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑 各位大侠：有谁知道哪家有供应蚀刻钛的药水，请告知或提供联系方法。谢谢！！！本人的QQ号码是：414615292
2012-08-08 14:51
