化学反应后生成Si原子并沉积在衬底上，生长出晶体取向与衬底相同的Si单晶外延层，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。气相外延炉主要是为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长
2018-09-03 09:31
器件制造具有以下优点[1] (1) 片子平面的总体平面度: CMP 工艺可补偿亚微米光刻中步进机大像场的线焦深不足。 (2) 改善金属台阶覆盖及其相关的可靠性: CMP工艺显著地提高了芯片测试中的圆片成品率。 (3)
2023-09-19 07:23
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“
2021-07-29 09:36
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分别采用了什么芯片？ 3协同通信的方式有哪些？ 4大数据及认知无线电（名词解释） 4半导体工艺的4个主要步骤： 4简叙半导体光刻技术基本原理 4给出4个全球著
2021-07-26 08:31
。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。和光刻胶一样，刻蚀也分为“
2022-04-08 15:12
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：n-GaN的电化学和光刻编号：JFKJ-21-820作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43
-型硅芯片，所以要做 n 型磷扩散。一般是使用 POCl 3 加上氧气与氮气，在高温扩散炉管内进行扩散。其化学反应式可表为产生的磷原子经由高温扩散的方式进入硅晶格内，形成 n -型的掺杂（dopant
2017-11-22 11:12
中国科学院大学（以下简称国科大）微电子学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院，国科大微电子学院开设的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程是国内少有的研究讨论光刻技术
2021-10-14 09:58
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17
速度和打印质量。在桌面3D打印机领域，目前流行的技术是熔丝制造（FFF）和立体光刻（SLA）。 尽管价格便宜，但FFF技术——也被称为熔积成型（FDM），有两个基本限制
2022-11-08 07:55
