化学反应后生成Si原子并沉积在衬底上，生长出晶体取向与衬底相同的Si单晶外延层，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。气相外延炉主要是为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长
2018-09-03 09:31
过程才能完成,光刻胶及蚀刻技术是实现集成电路微细加工技术的关键[2]。蚀刻的方式主要分为湿法和干法两种，等离子与反应离子刻蚀（RIE）属于干法蚀刻，主要是通过物理轰击溅
2018-08-23 11:56
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新
2012-01-12 10:51
。 光刻则是在晶圆上“印刷”电路图案的关键环节，类似于在晶圆表面绘制半导体制造所需的详细平面图。光刻的精细度直接影响到成品芯片的集成度，因此需要借助先进的
2024-12-30 18:15
——薄膜制作(Layer)、图形光刻(Pattern)、刻蚀和掺杂，再到测试封装，一目了然。 全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造
2025-04-15 13:52
工艺:光刻胶除胶，蚀刻未被保护的SiO2，显影，除胶。 材料:晶圆，研磨抛光材料，光按模板材料。光刻胶，电子化学品。工业气体，靶材，封装材料 硅片制造:单晶硅棒拉制，硅
2025-03-27 16:38
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“刻制”出材料层的图形。 首先准备好硅片和光掩膜版
2025-04-02 15:59
在反应之前将原料一次性加入反应器中，直到反应达到规定的转化率，即得反应物，通常带有搅拌器的釜式反应器。
2019-10-24 09:01
。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。和光刻胶一样，刻蚀也分为“
2022-04-08 15:12
第二章对芯片制造过程有详细介绍，通过这张能对芯片制造过程有个全面的了解 首先分为前道工序和后道工序 前道工序也称扩散工艺，占80%工作量，进一步分为基板工艺
2024-12-16 23:35
