激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工
2023-05-16 10:45 深圳市科瑞特自动化技术有限公司 企业号
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
在MEMS工艺中，常用的退火方法，如高温炉管退火和快速热退火（RTP）。RTP (Rapid Thermal Proce
2024-03-19 15:21
通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对
2022-11-02 10:03
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→
2016-08-05 17:45
离子注入后的快速加热退火(RTA)工艺是快速加热步骤 (RTP)中最常使用的一种技术。当离子注入完成后，靠近表面的硅晶体结构会受到高能离子的轰击而严重损伤，需要高温退火消除损伤来恢复单晶结构并激活
2022-10-24 09:26
本文简单介绍了芯片制造的7个前道工艺。 在探索现代科技的微观奇迹中，芯片制造
2025-01-08 11:48
浅沟道隔离（STI）是芯片制造中的关键工艺技术，用于在半导体器件中形成电学隔离区域，防止相邻晶体管之间的电流干扰。本文简
2025-03-03 10:00
在芯片制造过程当中，硅必须掺杂越来越高的磷浓度，以促进准确和稳定的电流传输，但随着芯片工艺要求越来越高，传统的退火方法已
2022-09-19 11:45
芯片制造工艺流程步骤：芯片一般是指集成电路的载体，芯片制造
2021-12-15 10:37
