激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT圆片背面进行激光快速退火，实现激活深度，有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工
2023-05-16 10:45 深圳市科瑞特自动化技术有限公司 企业号
本文简单介绍了芯片离子注入后退火会引入的工艺问题：射程末端（EOR）缺陷、硼离子注入退火问题和磷离子注入退火问题。
2025-04-23 10:54
在MEMS工艺中，常用的退火方法，如高温炉管退火和快速热退火（RTP）。RTP (Rapid Thermal Proce
2024-03-19 15:21
各位大侠，小女子在做半导体退火的工艺，不知道哪位做过有n型单晶硅退火？具体参数是什么？任何经验都可以提，请照顾一下新手，谢谢！:handshake
2011-03-01 09:37
今天阅读了最感兴趣的部分——芯片制造过程章节，可以用下图概括： 芯片的制造工序可分为前道工序和后道工序。前道工序占整个芯片
2024-12-30 18:15
通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对
2022-11-02 10:03
霍尔IC芯片的制造工艺霍尔IC传感器是一种磁性传感器，通过感应磁场的变化，输出不同种类的电信号。霍尔IC芯片主要有三种制造
2016-10-26 16:48
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→
2016-08-05 17:45
芯片制造全工艺流程详情
2020-12-28 06:20
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44
