在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD. KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用通过向生长的薄膜中添加能量来增
2023-05-25 10:22 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度
2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子
2023-05-25 10:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 大尺寸考夫曼离子源 KDC 160 适用于 2-4英寸的硅片刻蚀和清洁应用, KRi KDC 160 是直流栅网离子源, 高输出离子束电流超过 1000mA. 高功率光束无需
2024-09-13 10:10 伯东企业（上海）有限公司 企业号
刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一, 上海伯东日本 Atonarp Aston 质谱仪适用于等离子体刻蚀过程及终点监测 (干法刻蚀终点检测), 通过持续监控腔室工艺化学气体, 确保半导体晶圆生产
2024-10-18 13:33 伯东企业（上海）有限公司 企业号
半导体设备光刻机防震基座在 LCD 面板制造曝光机中的成功应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司一、案例背景在 LCD（Liquid Crystal Display）面板制造领域，曝光机
2024-12-24 14:43 江苏泊苏系统集成有限公司 企业号
成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜
2024-09-13 10:59 伯东企业（上海）有限公司 企业号
阐述电解电容制造工艺流程对于电子元器件这块的知识，想必大家平时生活中很少接触到，但无时无刻不在使用它。那么铝电解电容整个制造工艺流程是怎样进行的呢?接下来由华凯小编介绍了解一下铝电解电容的工艺流程
2022-04-06 18:15 华凯电容（深圳）有限公司 企业号
