文章编号：1003-353X(2005)06-0032-051 引言作为微电子技术核心的集成电路制造技术是电子工业的基础，其发展更新的速度是其他产业无法企及的。在集成电路制作过程
2018-08-23 11:56
。先进的刻蚀技术使芯片制造商能够使用双倍、四倍和基于间隔的图案来创造出现代芯片设计的微小尺寸。和光刻胶一样，刻蚀也分为“
2022-04-08 15:12
。 第1章 半导体产业介绍 第2章 半导体材料特性 第3章 器件技术 第4章 硅和硅片制备 第5章 半导体制造中的化学品 第6章 硅片
2025-04-15 13:52
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“
2025-04-02 15:59
TSMC，中芯国际SMIC 组成:核心:生产线，服务:技术部门，生产管理部门，动力站（双路保障），废水处理站(环保，循环利用)等。生产线主要设备: 外延炉，薄膜设备，光刻机，蚀刻机，离子注入机，扩散炉
2025-03-27 16:38
。 光刻则是在晶圆上“印刷”电路图案的关键环节，类似于在晶圆表面绘制半导体制造所需的详细平面图。光刻的精细度直接影响到成品芯片的集成度，因此需要借助先进的
2024-12-30 18:15
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“
2021-07-29 09:36
平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。化学机械研磨机晶圆制造中，随着制程
2018-09-03 09:31
器件制造具有以下优点[1] (1) 片子平面的总体平面度: CMP 工艺可补偿亚微米光刻中步进机大像场的线焦深不足。 (2) 改善金属台阶覆盖及其相关的可靠性: CMP工艺显著地提高了
2023-09-19 07:23
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新
2012-01-12 10:51
