Bosch刻蚀工艺作为微纳加工领域的关键技术，对于HBM和TSV的制造起到了至关重要的作用。
2024-10-31 09:43
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行
2024-01-14 14:11
今天我们要一起揭开一个隐藏在现代电子设备背后的高科技秘密——干法刻蚀工艺。这不仅是一场对微观世界的深入探秘，更是一次对半导体芯片制造艺术的奇妙之旅。
2024-08-26 10:13
在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 （Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀
2022-10-10 10:12
）、抗腐蚀性和热稳定性，使其成为芯片制造中的关键材料。此外，TiN在紫外至深紫外波段（UV-DUV）具有高吸收系数（约10^5 cm⁻¹），远高于SiO₂或Al₂O₃等材料，这一特性使其在光刻工艺中发挥重要
2025-03-18 16:14
在指甲盖大小的芯片上，数百亿晶体管需要通过比头发丝细千倍的金属线连接。当制程进入130纳米节点时，传统铝互连已无法满足需求——而铜（Cu） 的引入，如同一场纳米级的“金属革命”，让芯片性能与能效实现质的飞跃。
2025-07-09 09:38
W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体，并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比，加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步，第一步是快速均匀地刻掉大部分W，第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应，避免产生凹坑，并使用对TiN有高选择比的化学气体进行
2023-12-06 09:38
人工智能（AI）是预计到2030年将成为价值数万亿美元产业的关键驱动力，它对半导体性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最复杂的问题来自于需要通过新的刻蚀技术来解决的器件制造挑战。
2023-11-16 16:03
本文介绍了在芯片制造中的应变硅技术的原理、材料选择和核心方法。
2025-04-15 15:21
