的加工工艺流程，加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来，实现单片机IC芯片的更小化。芯片，本质上是一片载有集成电路（IC：Integrat
2018-08-23 17:34
盖楼一样，层层堆叠。 总结一下，芯片制造的主要过程包括晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、互连、测试和封装。 晶圆，作为单晶柱体切割而成的圆薄片，其制作原料是硅或砷化镓。高纯度的硅材料提取自硅砂
2024-12-30 18:15
的作用。在反应离子刻蚀中，气体放电产生的等离子体中有大量化学活性的气体离子，这些离子与材料表面相互作用导致表面原子产生化学反应，生成可挥发产物。这些挥发产物随真空抽气系
2018-09-03 09:31
，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。刻蚀（英语：etching）是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果
2017-10-09 19:41
。 光刻工艺、刻蚀工艺 在芯片制造过程中，光刻工艺和刻蚀工艺用于在某个半导体材料或介质材料层上，按照光掩膜版上的图形，“
2025-04-02 15:59
在智能手机等众多数码产品的更新迭代中，科技的改变悄然发生。苹果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技术成为可能。这些芯片是如何被
2022-04-08 15:12
典型的硅刻蚀是用含氮的物质与氢氟酸的混合水溶液。这一配比规则在控制刻蚀中成为一个重要的因素。在一些比率上，刻蚀硅会有放热反应。加热反应所产生的热可加速
2018-12-21 13:49
击穿电压。同时，还简要描述了这种器件的制造工艺。关键词：静电感应晶闸管；埋栅结构；台面刻蚀；栅阴击穿；表面缺
2009-10-06 09:30
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻
2022-08-31 16:29
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20
