在芯片制程中，介质层起到了非常重要的作用。它不仅在芯片中提供了必要的电气隔离，还在多层互连结构中实现了信号的高效传输。那么目前芯片
2023-10-19 10:47
中科融合是一家国际领先的先进光学智能传感器芯片企业，是国内唯一拥有自主研发“MEMS芯片+SOC芯片+核心算法”，并且提供完整的AI+3D芯片以及模组产品的创新型高新技
2023-12-14 14:43
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚微米制造工艺提出如下严格的要求： （1）高质量栅氧化膜。栅氧化膜厚度按比例减薄后，要求低的缺陷密度，好的抗杂质扩散，具有低的界面态密度和固定电荷的 Si/SiO2 界面。 （2）可控并重复的沟道掺杂。达到调整阈值电压和抑制穿通。
2018-03-16 10:29
的偏置栅结构的 HV LDMOS 器件。改变漂移区的长度，宽度，结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压。采用 MOS 集成电路芯片结构设计﹑工艺与制造技术，依该技术得到了芯片制程结构。
2018-07-09 10:30
银 (Ag)： 导电浆料：用于某些先进的封装技术。 电镀：电镀锡银合金 镍 (Ni)： 硅化物形成：与硅反应形成镍硅化物，用于某些接触应用。 磁性金属：被广泛用于磁性应用，如磁头、磁性屏蔽和磁性核心材料。
2023-11-15 12:31
在芯片技术的发展过程中，随着芯片制程的逐步缩小，互连线引起的各种效应成为影响芯片性能的重要因素。芯片互连是目前的技术瓶颈
2022-11-22 11:42
导语：均匀性在芯片制程的每一个工序中都需要考虑到，包括薄膜沉积，刻蚀，光刻，cmp，离子注入等。较高的均匀性才能保证芯片的产品与性能。那么片内和片间非均匀性是什么？如何计算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的
2018-04-08 16:10
在芯片制程进入纳米时代后，一个看似矛盾的难题浮出水面：如何在不损伤脆弱纳米结构的前提下，彻底清除深孔、沟槽中的残留物？传统水基清洗和等离子清洗由于液体的表面张力会损坏高升宽比结构中，而超临界二氧化碳（sCO₂）清洗技术，凭借其独特的物理特性，正在改写半导体清洗的规
2025-06-03 10:46
此节以半导体的代表，CMOS-半导体为例，对前段制程FEOL进行详细说明。此说明将依照FEOL主要制程的剖面构造模型，说明非常详细，但一开始先掌握大概即可。
2024-04-03 11:40
