本文开始阐述了电容击穿的概念和电容器被击穿的条件，其次分析了电容击穿后是开路还是短路，最后介绍了电容击穿的原因以及避免介
2018-03-27 18:21
可控硅击穿的原因分析 1、过压击穿： 过压击穿是可控硅击穿的主要原因之
2009-12-11 09:48
压敏电阻击穿原因：因为氧化锌压敏电阻器不能耐受过电压或长时间的工频电压，一定会发生短路和击穿失效，发生热击穿的破坏性（大电流）。
2019-06-25 14:17
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的详细分析，旨在达到1000字的要求。
2024-02-06 11:26
来源：电源网综合 从事电源电子行业的工程师对电容这个电子元器件应该都不陌生了。但是关于电容击穿的各种问题，很多工程师还是有些困惑，本篇文章就主要讲解一下电容击穿的概念、条件、原因以及避免电容
2020-10-12 01:19
击穿是指电缆的绝缘层因外力损坏、（挤压、雷击等），绝缘资料老化等原因形成的原有绝缘功能被损坏，失掉原有绝缘功能，发作运转中电缆的芯线对芯线之间、芯线对电缆外护钢带及对地放电，形成接地短路的故障。电线电缆绝缘击穿主要有
2021-03-19 13:57
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回
2022-09-15 16:58
MOS管的敏感性使其容易受到静电放电（ESD）的损害，这可能导致器件性能下降甚至完全失效。本文将深入探讨MOS管被击穿的原因，并提出相应的解决方案，以帮助电子工程师和技术人员更好地理解和处理这一
2024-10-04 16:44
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回
2019-05-20 17:21
开关电源的开关管击穿是指在开关管工作过程中，由于某些原因导致开关管内部出现电弧放电现象。开关管击穿的原因主要有以下几个方面： 过高的电压：电压过高是导致开关管
2024-03-12 11:21
